Samsung bu yıl 3GAE 3nm sınıfı gate all around süreç teknolojisini kullanarak hacimli çip üretimine Sarıyer escort bayan başladığını duyurmuştu Şirket duyurusunda ser verip sır vermezken bu öncü teknolojilerin hangi aygıtlarda kullanılacağından hiç bahsetmedi Görünüşe nazaran şirket kripto para madenciliği için özel bri entegre devre ASIC üretmek üzere Silivri escort 3GAE tekniğini kullanıyor
3GAE üretim teknolojisi Samsung un MBCFET ler multi bridge channel field effect transistors olarak isimlendirdiği gate all around GAA transistörlere dayanıyor GAAFET bilhassa yüksek performanslı ve taşınabilir Escort Topkapı tahliller için yararlı Bu nedenle Intel ve TSMC üzere şirketler 2024 2025 yıllarında bu sürece geçiş yapmak için mesai harcıyor
TrendForce tarafından gelen haberlere bakacak olursak GAAFET teknolojisinden birinci olarak kripto madenciliğinde kullanacak ASIC ler yararlanacak Firma analistleri Güney Koreli şirketin 3GAE sürecini taşınabilir işlemcilere önümüzdeki yıl getireceğini söylüyor
Kripto para madenciliğinde kullanılan çipler nispeten kolay ve küçük yapıdadır Operasyonlarda verimlilik elde etmek için çok sayıda benzeri çip bir ortaya gelir Hakikaten yeni üretim teknolojilerinin bu cins yapılandırmalar için büyük avantajlar sağlaması bekleniyor
Farklı transistör yapıları kullanan taşınabilir SoC ler ise sayısız bilgi süreç ünitesini içinde barındırmakta Bu nedenle Samsung un performans verimlilik ve yoğunluk hakkında daha fazla bilgi edinmesi için kripto ASIC lerini kullanması mantıklı Çinli SMIC benzeri formda 7nm sınıfı teknolojilerini test etmek için MinerVa madencilik ASIC ini kullanmıştı
Samsung yeni jenerasyon üretim teknolojileri kelam konusu olduğunda çoklukla resmiyette TSMC ve Intel in önünde gidiyor Lakin birden fazla durumda TSMC de üretilen benzeri çipler daha yüksek verimlilik ve performans sağlıyor